数据列表
IPB107N20N3 G,IPx110N20N3 G;
标准包装
1,000
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列
OptiMOS™
其它名称
IPB107N20N3 G-ND
IPB107N20N3 GTR
IPB107N20N3G
IPB107N20N3GATMA1
SP000676406
IPB107N20N3G绝对原装自家现货
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IPB107N20N3G绝对原装自家现货
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规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
87nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7100pF @ 100V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
10.7 毫欧 @ 88A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TO263-2
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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ROHM集团旗下的Kionix, Inc.,(总部位于美国纽约州伊萨卡)开发出非
常适用于智能手机和可穿戴式设备的计步器功能的3轴加速度传感器
“KX126”。
本产品在传感器中内置了步行检测及计步算法，无需再为了计步器功
能而单独设计电路，有助于减轻客户的设计负担。另外，利用优化的
ROHM独有低功耗算法，新增计步器功能仅需100nA，有助于应用的
低功耗化(普通加速度传感器的功耗约为150uA)。不仅如此，采用
2x2x0.9mm的小型封装，即使有限的空间也可实现计步器功能。
近年来，在健身领域，同时搭载检测行走状态的步行检测功能及计算
步数的计步功能的更高精度的计步器需求日益高涨。这种高级计步器
还有望在看护领域、物流及职场工作效率改善方面大展身手。
IPB107N20N3G绝对原装自家现货
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此外，此类搭载传感器的应用逐年增加，与此同时，在传感器中直接
内置算法等的产品也越来越多。通过将各种功能直接内置于传感器，
不仅可提供简单易用的产品，还有助于降低电池耗电量并实现应用的
小型化。
在这种背景下，Kionix利用所擅长的MEMS技术，开发出在2x2x0.9mm的
小型封装中内置计步器功能的高性能、低功耗3轴加速度传感器，并
扩充了产品阵容。
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