产品种类: 参考电压
制造商: Analog Devices Inc.
型号：ADR435ARMZ
数量：8500
RoHS: 符合RoHS
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MSOP-8
参考类型: Series Precision References
输出电压: 5 V
初始准确度: +/- 2 mV
温度系数: 1 PPM / C
分流电流—最大值: 30 mA
最大工作温度: + 125 C
系列: ADR435
封装: Tube
准确性: 15 ppm/mA
商标: Analog Devices
描述/功能: 5.0 V high precision, low noise XFET reference with output sink and source capability
开发套件: EVAL-CN0240-SDPZ
高度: 0.85 mm
输入电压: 7 V to 18 V
长度: 3 mm
负载调节: 15 ppm/mA
最小工作温度: - 40 C
工作电源电流: 800 uA
输出电流: 30 mA
ADR435ARMZ进口原装/假一罚十
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ADR435ARMZ进口原装/假一罚十
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此前，中国移动已经建立了首个5G信号基站，虽然为数不多，但可以预见未
来4G将会承担更多的载网任务，而2G甚至3G退网也只是时间问题。而在近日，
联发科携手中国移动正式推出了首批双卡双VoLTE(Voice over LTE)芯片解决
方案，成功实现了4G双卡手机两张卡同时支持VoLTE高清语音、视频通话功
能，首颗完成该功能测试的芯片是联发科旗下高端旗舰芯片Helio X30。
ADR435ARMZ进口原装/假一罚十
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目前在移动无线通讯领域商用最为出色的双卡解决方案均来自高通，其
实现了主卡4G的情况下副卡可以待机至联通3G实现更好的通话质量，但
如果在用户出国漫游的情况下由于频段问题则可能出现无法接收到信号
的问题，而标准更为单一的4G待机则有望更好的解决此问题，加上4G
VoLTE无论在拨通延时还是在通话质量上都远超2G、3G，联发科的双
卡双VoLTE芯片解决方案确实走在了前面。
对于如此实用的技术，联发科并非决定让高端产品独享，根据联发科手
机业务事业部总经理李宗霖透露，预计在今年内，联发科的全线产品都
将升级支持双卡双VoLTE，未来在中端乃至低端产品线上我们可能都会
看到该功能的出现。
ADR435ARMZ进口原装/假一罚十
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ADR435ARMZ进口原装/假一罚十
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