产品种类:
IGBT 模块
制造商:
Infineon
RoHS:
详细信息
产品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:
1700 V
集电极—射极饱和电压:
2.45 V
在25 C的连续集电极电流:
1390 A
栅极—射极漏泄电流:
400 nA
Pd-功率耗散:
6.25 kW
封装 / 箱体:
PRIME3
最大工作温度:
+ 150 C
商标:
Infineon Technologies
高度:
38 mm
长度:
250 mm
栅极/发射极最大电压:
+/- 20 V
最小工作温度:
- 40 C
安装风格:
Screw
工厂包装数量:
2
宽度:
89 mm
FS100R07PE4本司专营一系列产品
FF1000R17IE4本司专营一系列产品
F3L300R12PT4-B26本司专营一系列产品
F4-400R12KS4-B2本司专营一系列产品
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21ic讯 Analog Devices, Inc. 最近推出一款高度集成的数字X射线模拟前端(AFE)
ADAS1256，其在多种功耗模式选项下都具有业界最佳的噪声性能以及最高图像质
量。这款256通道的ADAS1256数字X射线AFE是业界首款单芯片解决方案，通过
集成低噪声可编程电荷放大器、相关双采样电路和16位模数转换器(ADC)，可提
供完整的电荷至数字转换信号链。在2微微库仑满量程时，560个电子的等效电荷
具有低噪声系数，因此ADAS1256可提供高分辨率的数字X射线图像，同时降低病
患所受X射线的照射量。ADAS1256具有每通道1 mW至3 mW的多功能功耗模式，
允许制造商使用多种数字X射线成像手段，包括便携式放射和乳房X线照相术以及
高速透视和心脏成像
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ADI公司医疗保健部副总裁Pat O’Doherty表示：“由于ADAS1256具有超
低噪声和动态范围性能，使数字X射线技术能够继续应用于医学诊断，相比现
有的数字X射线系统，成像质量更佳，同时降低了照射到病患身上的辐射剂量。
ADAS1256数字X射线AFE不仅达到了性能等级，而且符合严格的功耗预算要
求，只需这单个设备就能满足医疗设备设计人员对便携式数字X射线产品不断
增长的高性能需求。”
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ADAS1256数字X射线AFE
ADAS1256是一款256通道、同步采样、高动态范围、低功耗的模拟前端，可
提供完整的电荷至数字转换信号链。它集成256个低噪声积分器、低通滤波器、
以及多路复用至一个高速16位模数转换器(ADC)的相关双采样器。所有转换通
道结果均通过一个LVDS(低压差分信号)自时钟串行接口输出。ADAS1256可通
过SPI兼容型菊花链接口编程。它采用高密度的柔性系统(SOF)封装，可直接安
装在数字X射线面板上。
ADAS1256数字X射线AFE的主要特性
· 单芯片、256通道、电荷至数字转换
· 16位分辨率、无失码
· 同步采样
· 用户可调的满量程范围高达32 pC(微微库仑)
· 超低噪声：560 e−(范围：2pC)
· 多功能功耗模式每通道1 mW至3 mW
· 掉电和休眠模式低至每通道0.005 mW
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