BSC146N10LS5逻辑电平OptiMOS™5功率MOSFET密度设计
发布时间:2019/8/28 17:09:15 访问次数:27569
逻辑电平的optimos™5功率mosfet
- 51电子网公益库存:
- FFB20UP20DN
- DM9161AEP
- PA4201DN-T7
- M1691RB1U
- 6N137
- TMS9995NL
- TMS9902ANL
- SN75172
- TMB12A03
- ADOP07CP
- A3120
- KA319
- PAL16L8BCN
- GD74LS04N
- NJM3771D2
- YT2604
- LFU6831L
- FU6812
- FU6831N
- FU6831Q
- G3VM-61A1
- HCPL2611
- tle2021
- GD25Q80PCP
- RT-2
- NJU39610D2
- NJM3772D2
- NJM3771D2
- UC3709N
- TC4584BP
- LF412CN
- LM361N
在小型封装中提供低rds（on）
逻辑电平的optimos™5功率
mosfet非常适合充电
适配器
和电信应用
该器件的低栅极电荷可降低开关损耗
而不会影响传导损耗
逻辑电平mosfet允许在高开关频率下工作
并且由于低栅极阈值电压
可以直接从微控制器驱动
摘要：
低r ds（on）小封装
低栅极电荷
降低输出电量
逻辑级兼容性
优点：
功率密度设计更高
更高的开关频率
在5v电源可用的地方减少了部件数量
直接从微控制器驱动（慢速切换）
降低系统成本
目标应用：
适配器
电信
参数
bsc146n10ls5
id（@ 25°c）最大值44.0 a.
id（@ tc = 25°c）最大值44.0 a.
idpuls最高176.0 a.
工作温度最低最高-55.0°c 150.0°c
ptot最大值52.0 w
包装采用superso8
极性n
qg（典型值@ 4.5v）8.0 nc
rds（on）（@ 10v）最大值为14.6mΩ
rds（on）（@ 4.5v）最大20.8mΩ
vds最大100.0 v.
vgs（th）min max 1.7 v 1.1 v 2.3 v.
完全无铅
无卤素
符合rohs标准
包装尺寸5000
包装类型tape＆reel
水分含量
保湿包装非干燥
(素材来源：infineon.如涉版权请联系删除。特别感谢）
逻辑电平的optimos™5功率mosfet
- 51电子网公益库存:
- FFB20UP20DN
- DM9161AEP
- PA4201DN-T7
- M1691RB1U
- 6N137
- TMS9995NL
- TMS9902ANL
- SN75172
- TMB12A03
- ADOP07CP
- A3120
- KA319
- PAL16L8BCN
- GD74LS04N
- NJM3771D2
- YT2604
- LFU6831L
- FU6812
- FU6831N
- FU6831Q
- G3VM-61A1
- HCPL2611
- tle2021
- GD25Q80PCP
- RT-2
- NJU39610D2
- NJM3772D2
- NJM3771D2
- UC3709N
- TC4584BP
- LF412CN
- LM361N
在小型封装中提供低rds（on）
逻辑电平的optimos™5功率
mosfet非常适合充电
适配器
和电信应用
该器件的低栅极电荷可降低开关损耗
而不会影响传导损耗
逻辑电平mosfet允许在高开关频率下工作
并且由于低栅极阈值电压
可以直接从微控制器驱动
摘要：
低r ds（on）小封装
低栅极电荷
降低输出电量
逻辑级兼容性
优点：
功率密度设计更高
更高的开关频率
在5v电源可用的地方减少了部件数量
直接从微控制器驱动（慢速切换）
降低系统成本
目标应用：
适配器
电信
参数
bsc146n10ls5
id（@ 25°c）最大值44.0 a.
id（@ tc = 25°c）最大值44.0 a.
idpuls最高176.0 a.
工作温度最低最高-55.0°c 150.0°c
ptot最大值52.0 w
包装采用superso8
极性n
qg（典型值@ 4.5v）8.0 nc
rds（on）（@ 10v）最大值为14.6mΩ
rds（on）（@ 4.5v）最大20.8mΩ
vds最大100.0 v.
vgs（th）min max 1.7 v 1.1 v 2.3 v.
完全无铅
无卤素
符合rohs标准
包装尺寸5000
包装类型tape＆reel
水分含量
保湿包装非干燥
(素材来源：infineon.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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