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SMBTA06UPN低集电极 - 发射极饱和电压NPN / PNP硅AF晶体管阵列

发布时间:2019/4/26 9:59:38 访问次数:2055

smbta06upn

npn / pnp硅af晶体管阵列

高击穿电压

低集电极 - 发射极饱和电压

两个(电流)内部隔离的npn / pnp

晶体管在一个封装中

磁带加载方向

51电子网公益库存:
BAV199LT1G
BAW79C
BC874B
BCM53333A0IFSBG銆愮壒浠风幇璐с
BCM54610C1KMLG
BCM56334B1IFSBLG
BCP69
BCR16HM
BCX55
BD3102
BD45422G
BD6974FV
BDR6133
BFG183
BFP183
BGD102
BK5933
BLUENRG-232
BMI160
BSH108
BSH201
BSP108
BSS138
BSS84AK
BSTN44C88
BT134-600E
BU4344F
BU4833G
BU4940F
BWD1215


http://szhsddz.51dzw.com/





http://szhsddz3.51dzw.com/



sc74_tape

123

6 5 4

w1s

放松的方向

sc74封装上的顶视图标记

(例如w1s)

对应于设备的引脚1

磁带位置:引脚1

进料孔侧对面

eha07177

6 5 4

1 2 3

c1 b2 e2

e1 b1 c2

tr1

tr2


http://gll.51dzw.com/


键入标记引脚配置包

smbta06upn s2p 1 = e 2 = b 3 = c 4 = e 5 = b 6 = c sc74


参数符号值单位

集电极 - 发射极电压vceo 80 v.

集电极电压vcbo 80

发射极电压vebo 4

直流集电极电流i.

c 500 ma

峰值集电极电流icm 1 a.

基极电流ib 100 ma

峰值基准电流ibm 200

总功耗,ts = 115°c ptot 330 mw

结温tj 150°c

储存温度tstg -65 ... 150

热阻

结点 - 焊接点1)rthjs?105 k / w.


集电极 - 发射极饱和电压1)

ic = 100ma,ib = 10ma

vcesat  -   -  0.25 v

基极 - 发射极电压1)

ic = 100ma,vce = 1v

vbe(on) -   -  1.2


http://xiangxing.51dzw.com

交流特性

过渡频率

ic = 20ma,vce = 5v,f = 20mhz

ft  -  100  -  mhz

集电极电容

vcb = 10 v,f = 1 mhz

( 注:文章配图来自.alldatasheetcn.,权利归原作所有,特别感谢!)



smbta06upn

npn / pnp硅af晶体管阵列

高击穿电压

低集电极 - 发射极饱和电压

两个(电流)内部隔离的npn / pnp

晶体管在一个封装中

磁带加载方向

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BCP69
BCR16HM
BCX55
BD3102
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BD6974FV
BDR6133
BFG183
BFP183
BGD102
BK5933
BLUENRG-232
BMI160
BSH108
BSH201
BSP108
BSS138
BSS84AK
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BT134-600E
BU4344F
BU4833G
BU4940F
BWD1215


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sc74_tape

123

6 5 4

w1s

放松的方向

sc74封装上的顶视图标记

(例如w1s)

对应于设备的引脚1

磁带位置:引脚1

进料孔侧对面

eha07177

6 5 4

1 2 3

c1 b2 e2

e1 b1 c2

tr1

tr2


http://gll.51dzw.com/


键入标记引脚配置包

smbta06upn s2p 1 = e 2 = b 3 = c 4 = e 5 = b 6 = c sc74


参数符号值单位

集电极 - 发射极电压vceo 80 v.

集电极电压vcbo 80

发射极电压vebo 4

直流集电极电流i.

c 500 ma

峰值集电极电流icm 1 a.

基极电流ib 100 ma

峰值基准电流ibm 200

总功耗,ts = 115°c ptot 330 mw

结温tj 150°c

储存温度tstg -65 ... 150

热阻

结点 - 焊接点1)rthjs?105 k / w.


集电极 - 发射极饱和电压1)

ic = 100ma,ib = 10ma

vcesat  -   -  0.25 v

基极 - 发射极电压1)

ic = 100ma,vce = 1v

vbe(on) -   -  1.2


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交流特性

过渡频率

ic = 20ma,vce = 5v,f = 20mhz

ft  -  100  -  mhz

集电极电容

vcb = 10 v,f = 1 mhz

( 注:文章配图来自.alldatasheetcn.,权利归原作所有,特别感谢!)



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