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UCC21750SiC / IGBT隔离栅极驱动SiO2电容隔离技术

发布时间:2019/3/21 10:19:11 访问次数:1683

sic / igbt的ucc21750单通道隔离栅极驱动器

具有先进的保护和高cmti



51电子网公益库存:
TDA7269
TDA7294V
TDA75610LV
TDA7569BLVPFTR
TDA7705
STTH1R02ZFY
WAC-185-B-X
WAC-186-B-X
WG82574L
WGCE5039
XAM3359ZCZ
XC2C256-7TQG144C
XC2S100-1FG256I
XC2S100-2FG256C
XC2S100-3FG256C
YAS529-PZE2
YX3P115B
Z0409NF
ZLLS2000TA
ZMY7V5-GS18

http://gll.51dzw.com/

特点

•单通道sic / igbt隔离栅极驱动器

•sic mosfet和igbt高达1700 v.

•33 v最大输出驱动电压(vdd-com)

•高峰值驱动电流和高cmti

•有源米勒钳

•uvlo,rdy功率良好

•小传播延迟和脉冲/部分偏斜

•工作温度范围-40°c至125°c

http://tx168.51dzw.com

ucc21750是一个电隔离单通道

栅极驱动器设计用于高达1700v的sic mosfet

和igbt具有先进的保护功能,

同类产品

动态性能和稳健性。

输入侧与输出侧隔离

sio2电容隔离技术,

最高支持1.5kvrms工作电压,

12.8kvpk浪涌抗扰度


http://taixin168.51dzw.com

隔离屏障寿命也超过40年

提供低部件间偏斜和高cmti。


( 注:文章配图来自网络,权利归原作所有,特别感谢!)



sic / igbt的ucc21750单通道隔离栅极驱动器

具有先进的保护和高cmti



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YX3P115B
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特点

•单通道sic / igbt隔离栅极驱动器

•sic mosfet和igbt高达1700 v.

•33 v最大输出驱动电压(vdd-com)

•高峰值驱动电流和高cmti

•有源米勒钳

•uvlo,rdy功率良好

•小传播延迟和脉冲/部分偏斜

•工作温度范围-40°c至125°c

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ucc21750是一个电隔离单通道

栅极驱动器设计用于高达1700v的sic mosfet

和igbt具有先进的保护功能,

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最高支持1.5kvrms工作电压,

12.8kvpk浪涌抗扰度


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