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三星在2016年底宣布量产64层3d nand技术，在整体市场竞局持续技术领先地位，但从2d技术转换到3d nand过程中，面临2d产品投片量减少，3d nand初期良率又不稳定，让整个nand flash市场缺货问题更严重，业者预期三星64层3d nand会在5、6月开始放量生产，可望纾解市场吃紧状况。

三星2017年3d nand投资规模将高于先前计划，三星平泽半导体厂预计最快6月完工，7月有机会正式投产，并进一步扩大增设3d nand生产线，三星2017年在半导体投资额将创下史上新高纪录，上看176亿美元。三星过去在dram市场大举投资的成功经验，可能运用在nand flash技术与产能，借以拉大与竞争对手差距。http://jcd07.51dzw.com

美光原本是生产32层3d nand产品，之后跳过48层技术，直接投入研发生产64层3d nand产品，预计2017年第2季开始量产，提供42gb和64gb产品，下半年出货可望放量，2018年更计划推出128gb产品，希望同时抢攻消费性ssd和企业ssd两大应用市场。

半导体业者表示，nand flash技术微缩逐渐面临瓶颈，全球存储器大厂纷纷从2d nand技术转到堆叠式3d nand技术，以持续追求成本降低，美光第一代32层3d nand相较于16纳米制程2d nand技术，成本至少减少25%，而第二代64层3d nand技术的成本可再减少30%，美光计划第2季量产64层3d nand产品。

sk海力士原本生产36层和48层3d nand产品，为能在3d nand市场攻城略地，sk海力士跳过三星、美光、东芝竞逐的64层产品技术领域，直接跳到72层3d nand技术，推出容量高达256gb的第四代72层3d nand产品，预计2017年下半进入量产，全力超越竞争对手所推出的64层3d nand产品。

目前nand flash市场除了供给端遭逢新旧技术交接、良率不稳定，导致供给量减少，在终端市场更适逢固态硬碟需求大爆发，由于遇上nand flash晶片缺货，近期部分下游厂商反应很多大陆系统厂接获智能型手机标案，但缺少足够的存储器可以出货，通路端甚至把128gb ssd降到96gb容量，以因应整体市场供给吃紧情况。http://jcd08.51dzw.com

现阶段三星仍稳居全球固态硬碟市场龙头，其次是存储器模组大厂金士顿(kingston)，至于美光、新帝(sandisk)、东芝、创见等紧跟在后，分食全球固态硬碟市场大饼。

随着各大nand flash阵营纷纷转进具竞争力的64层和72层3d nand技术，减少2d nand生产，业者预计2017年第4季3d nand总产出将超越2d nand产品，成为整个nand flash市场主力，2017年3d nand时代正式来临，并在2018年进入96层技术世代。

2017年将是3d nand flash应用市场快速崛起的关键年，包括三星电子(samsung electronics)、美光(micron)、东芝(toshiba)等陆续推出具竞争力的64层3d nand flash加入竞局，sk海力士(sk hynix)更一举跳到72层3d nand flash技术以求突围，由于新旧技术转换，良率仍不稳定，加上固态硬碟(ssd)需求起飞，造成nand flash市场大缺货，业者预期2017年下半产出可望大增，全面开启3d nand flash时代。

作者: |来源： digitimeshttp://jcd09.51dzw.com