BSS84LT1G - ON (安森美半导体) - 晶体管-FET，MOSFET-单个

BSS84LT1G - ON (安森美半导体) - 晶体管-FET，MOSFET-单个属性

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BSS84LT1G - ON (安森美半导体) - 晶体管-FET，MOSFET-单个描述

属性

参数值



制造商型号

BSS84LT1G


制造商

ON(安森美半导体)


商品描述

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23


包装

Cut Tape (CT) Alternate Packaging


系列

-


零件状态

Active


FET 类型

P-Channel


技术

MOSFET (Metal Oxide)


漏源电压（Vdss）

50V


电流-连续漏极（Id）（25°C 时）

130mA (Ta)


Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V


不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

10Ohm @ 100mA, 5V


不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

2V @ 250µA


不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）

-


Vgs（最大值）

±20V


不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

30pF @ 5V


FET 功能

-


功率耗散（最大值）

225mW (Ta)


工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)


安装类型

Surface Mount


供应商器件封装

SOT-23-3 (TO-236)


封装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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