DMN53D0LQ-7 - DIODES (美台) - 晶体管-FET

DMN53D0LQ-7 - DIODES (美台) - 晶体管-FET属性

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DMN53D0LQ-7 - DIODES (美台) - 晶体管-FET描述

属性

参数值



制造商型号

DMN53D0LQ-7


制造商

DIODES(美台)


商品描述

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23


包装

Cut Tape (CT) Alternate Packaging


系列

Automotive, AEC-Q101


零件状态

Active


FET 类型

N-Channel


技术

MOSFET (Metal Oxide)


漏源电压（Vdss）

50V


电流-连续漏极（Id）（25°C 时）

500mA (Ta)


Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V


不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

1.6Ohm @ 500mA, 10V


不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

1.5V @ 250µA


不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）

0.6nC @ 4.5V


Vgs（最大值）

±20V


不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

46pF @ 25V


FET 功能

-


功率耗散（最大值）

370mW (Ta)


工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)


安装类型

Surface Mount


供应商器件封装

SOT-23


封装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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