FDD3510H
FDD3510H属性
- 面议
- TO-252
- ON
FDD3510H描述
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-5
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 4.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
系列: FDD3510H
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 2 ns, 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2 ns, 3 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 16 ns, 25 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 6 ns
单位重量: 260.370 mg