FCH104N60F

FCH104N60F属性

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FCH104N60F描述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 37 A
Rds On-漏源导通电阻: 104 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 139 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 357 W
配置: Single
商标名: SuperFET II FRFET
封装: Tube
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
系列: FCH104N60F
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.82 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 47 S
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 58 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 206 ns
典型接通延迟时间: 78 ns
单位重量: 6.390 g

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