FDB33N25TM
FDB33N25TM属性
- 面议
- TO-263
- ON
FDB33N25TM描述
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 235 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
系列: FDB33N25
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.65 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 120 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 230 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
单位重量: 1.312 g