FDD86569-F085

FDD86569-F085属性

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FDD86569-F085描述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 35 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: PowerTrench
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
系列: FDD86569_F085
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: FDD86569_F085
单位重量: 260.370 mg

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