MRF6S19140HR3

MRF6S19140HR3属性

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MRF6S19140HR3描述

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产品属性 属性值 搜索类似
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 68 V
增益: 16 dB
输出功率: 29 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-880-3
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
高度: 5.08 mm
长度: 34.16 mm
工作频率: 1.93 GHz to 1.99 GHz
类型: RF Power MOSFET
宽度: 13.8 mm
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
Pd-功率耗散: 52.8 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
单位重量: 9.734 g

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