MRF9060LR1
MRF9060LR1属性
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MRF9060LR1描述
MRF9060LR1 假一罚十,原装进口正品现货,长期供货。。。。。。。。。。规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 17 dB
输出功率: 60 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-360-3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.45 mm
长度: 20.45 mm
工作频率: 1 GHz
系列: MRF9060L
类型: RF Power MOSFET
宽度: 5.97 mm
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
Pd-功率耗散: 159 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V, 15 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.9 V
单位重量: 3 g