2N7002E-T1-E3
2N7002E-T1-E3属性
- 特价
- MOSFET 60V 0.24A
- MOSFET 60V 0.24A
- 特价
- Vishay
2N7002E-T1-E3描述
2N7002E-T1-E3
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 240 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 0.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
系列: 2N7002E
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 600 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: 2N7002E-E3
单位重量: 8 mg
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