2N7002T-7-F
2N7002T-7-F属性
- 特价
- MOSFET 60V 150mW
- MOSFET 60V 150mW
- 特价
- Diodes
2N7002T-7-F描述
2N7002T-7-F
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-523-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 115 mA
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 0.75 mm
长度: 1.6 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: 2N7002T
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度: 0.8 mm
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 80 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 2 mg
网站:www.cldzbest.com
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