SPP11N60CFD
- 发布时间：2019/1/9 10:28:17
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：深圳市宏辉电子科技有限公司
- 联 系 人：谢经理
SPP11N60CFD属性
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- Infineon
SPP11N60CFD描述
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 440 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 64nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 125W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3-1
封装/外壳 TO-220-3
所有产品保证原厂原装环保。来电咨询13923840661. 谢经理
本公司经销品牌：原厂货源，全新原装！
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