IPA65R190E6原厂原装现货
IPA65R190E6原厂原装现货属性
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IPA65R190E6原厂原装现货描述
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 730µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 73nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 34W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220 整包
封装/外壳 TO-220-3 整包
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