分立半导体晶体管MOSFET IRFPG50PBF

分立半导体晶体管MOSFET IRFPG50PBF属性

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分立半导体晶体管MOSFET IRFPG50PBF描述

Vishay 的产品组合是一个具有无与伦比的分立半导体（二极管、MOSFET 和光电元件）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。 这些组件几乎适用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天和医疗市场中所有类型的工业电子器件和设备。
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
IRFPG50PBF
描述
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 18 周
详细描述 通孔 N 沟道 pval(2068) 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
一般信息
数据列表 IRFPG50, SiHFPG50;
标准包装 25
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 3.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 190nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 190W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3

文档
产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF)
PCN 组件/产地 Mult Devices 18/Aug/2017

公司简介：深圳市瑞祺芯科技有限公司成立于2008年是一家亚太区优秀的电子零部件独立分销商，是一家专门经营各类电子元件（集成电路IC存储芯片 分立器件，电源，无源元件，连接器，继电器，传感器，电子，开关，保险元件，紧固件，开发工具，变压器 测试与测量等）立足深圳，面向国际市场，公司一惯坚持：“诚信为本”“以芯换心”的经营理念,全心全意为客户服务是我们的宗旨.公司常备现货库存并在亚洲.欧美有着良好的供货渠道,还有稳定的OEM客户关系。公司还特别拥有偏冷门，停产，紧缺，禁运，军工类IC的供应渠道。在香港成立采购中心和进出口中心，在中国深圳成立销售中心，确保拿到有竞争力的产品与价格，赢得广大客户一致的信赖和好评。
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