晶体管 IRF9640STRLPBF 半导体产品

晶体管 IRF9640STRLPBF 半导体产品属性

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晶体管 IRF9640STRLPBF 半导体产品描述

IRF9640STRLPBF介绍：

描述 MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

制造商标准提前期 18 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 200V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 6.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 44nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3W（Ta），125W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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晶体管有三个极: 双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）; 场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。



在二十世纪五十年代，物理学家同时也是现任威世公司的主席和首席技术及业务拓展主管Felix Zandman博士获得了PhotoStress®涂层和仪表的专利。

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