晶体管 FDS6930A MOSFET - 阵列

晶体管 FDS6930A MOSFET - 阵列 属性

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晶体管 FDS6930A MOSFET - 阵列 描述

FDS6930A介绍：

描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

制造商标准提前期 6 周

详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 7nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 460pF @ 15V

功率 - 最大值 900mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SO

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MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。



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