晶体管 NTGD4167C MOSFET - 阵列

晶体管 NTGD4167C MOSFET - 阵列 属性

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晶体管 NTGD4167C MOSFET - 阵列 描述

NTGD4167C介绍：

描述 MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

制造商标准提前期 30 周

详细描述 Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 N 和 P 沟道

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A，1.9A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 295pF @ 15V

功率 - 最大值 900mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装 6-TSOP

基本零件编号 NTGD4167C

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从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料



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