晶体管 TK16J60W,S1VQ 半导体产品

晶体管 TK16J60W,S1VQ 半导体产品属性

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晶体管 TK16J60W,S1VQ 半导体产品描述

TK16J60W,S1VQ介绍：
描述 MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 DTMOSIV
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 7.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 790μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 300V
FET 功能 超级结
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3P（N）
封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。

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