晶体管 STW15N80K5 MOSFET - 单

晶体管 STW15N80K5 MOSFET - 单 属性

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晶体管 STW15N80K5 MOSFET - 单 描述

STW15N80K5介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH5™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 375 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 190W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
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