晶体管 FDC2612 FET

晶体管 FDC2612 FET属性

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晶体管 FDC2612 FET描述

FDC2612介绍：
描述 MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 30 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 200V 1.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 234pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 725 毫欧 @ 1.1A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SuperSOT™-6
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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