晶体管 SI6968BEDQ-T1-E3 MOSFET - 阵列

晶体管 SI6968BEDQ-T1-E3 MOSFET - 阵列 属性

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晶体管 SI6968BEDQ-T1-E3 MOSFET - 阵列 描述

SI6968BEDQ-T1-E3介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 22 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.2A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
功率 - 最大值 1W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装 8-TSSOP
基本零件编号 SI6968
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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。

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