MOSFET - 单 RTL030P02TR 半导体产品

MOSFET - 单 RTL030P02TR 半导体产品属性

---

MOSFET - 单 RTL030P02TR 半导体产品描述

RTL030P02TR介绍：
描述 MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 3A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 760pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 3A，4.5V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TUMT6
封装/外壳 6-SMD，扁平引线
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

安富利（深圳）商贸有限公司，全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势！
所出的物料，绝对原装正品！放心购买！
本公司为一般纳税人，可开16%增值税票！欢迎垂询！
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201


MOSFET并非模拟电路设计工程师的首选，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随著MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。

---

MOSFET - 单 RTL030P02TR 半导体产品相关产品