晶体管 FDMA6676PZ FET

晶体管 FDMA6676PZ FET属性

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晶体管 FDMA6676PZ FET描述

FDMA6676PZ介绍：
描述 MOSFET P-CH 30V 11A
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 46nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2160pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 13.5 毫欧 @ 11A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 6-MicroFET（2x2）
封装/外壳 6-PowerWDFN
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