分立半导体产品 FDV303N 晶体管

分立半导体产品 FDV303N 晶体管属性

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分立半导体产品 FDV303N 晶体管描述

FDV303N介绍；
描述 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 42 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 680mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 500mA，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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1965年：摩尔定律诞生。当时，戈登·摩尔（Gordon Moore）预测，未来一个芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一倍(至今依然基本适用)，摩尔定律在Electronics Magazine杂志一篇文章中公布。
1968年7月：罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔从仙童（Fairchild）半导体公司辞职，创立了一个新的企业，即英特尔公司，英文名Intel为“集成电子设备（integrated electronics）”的缩写。
1969年：英特尔成功开发出第一个PMOS硅栅晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。

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