SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3属性

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SI2308BDS-T1-GE3描述

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规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6.8nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.09W（Ta），1.66W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 156 毫欧 @ 1.9A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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