HMC219BMS8GE
HMC219BMS8GE属性
- 联系我们获得最低
- 通信
- 射频和微波 单/双/三平衡混频器
- 市场最低
- ADI
HMC219BMS8GE描述
HMC219BMS8GE 优势和特点
转换损耗:9 dB(典型值)
LO至RF隔离:40 dB(典型值)
LO至IF隔离:35 dB(典型值)
RF至IF隔离:22 dB(典型值)
输入IP3:18 dBm(典型值)
输入P1dB:11 dBm(典型值)
输入IP2:55 dBm(典型值)
无源双平衡拓扑结构
8引脚、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封装
HMC219BMS8GE 产品分类
射频和微波
单/双/三平衡混频器
领域
通信
联系人:Luna 何小姐 朱先生【只只原装 片片原厂】地 址:广东深圳市福田区华强北上步工业区204栋东座516【微信号:13410068358】邮 编:518000 电 话:0755-82548684 13410068358【代传 真:0755-82523504【每一片都来自原厂原装可追溯】邮 箱:1779939071@qq.com
深圳市烨弘轩电子有限公司 为一般纳税人 可开具17%增值税票 有合作基础可申请月结,延长账期等多种供货付款方式。