HMC784AMS8GE
HMC784AMS8GE 属性
- 联系我们获得最低
- 射频和微波 SPDT T/R
- 高功率SPDT开关
- 市场最低
- ADI
HMC784AMS8GE 描述
优势和特点
输入P1dB:+40 dBm (Vdd = +8V)
高三阶交调截点:+60 dBm
正控制电压:+3至+8 V
低插入损耗:0.3 dB
MSOP8G封装:14.8 mm2
产品分类
射频和微波
SPDT T/R
领域
通信
产品详情
HMC784AMS8GE是一款高功率SPDT开关,采用8引脚MSOPG封装,适合在高输入信号功率电平下需要极低失真性能的发射-接收应用。该器件可控制DC至4 GHz范围的信号。该设计在+5V偏置下提供出色的交调性能,三阶交调截点> +60 dBm。“关断”状态下,RF1和RF2反射短路。片内电路在极低直流电流时采用+3 Vdc至8 Vdc单正电源工作,且控制输入兼容CMOS逻辑系列。
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