IRL8113S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:105A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2840pF @ 15V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL8113SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:105A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2840pF @ 15V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL8113STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:105A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2840pF @ 15V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRL8113STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:105A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2840pF @ 15V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
IRL8113STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:105A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2840pF @ 15V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRL8113STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:105A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2840pF @ 15V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块,预接线 SENSOR PHOTOELECTRIC 4M
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET IRON FOR E3C-2
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC XMITTER ESD RS422 LP 16-TSSOP
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块,预接线 SENSOR OPTO REFL 3M PREWIRED MOD
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET HORIZ 20 DEG ANGL ADJUST
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC XMITTER ESD RS422 LP 16-TSSOP
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块,连接器 SENSOR PHOTOELECTR 100MM 4M CONN
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK