IRF1405Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4780pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF1405ZL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4780pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF1405ZL-7PPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:120A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫欧 @ 88A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:230nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5360pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-263-7(直引线)
- 供应商设备封装:TO-263CA-7
- 包装:管件
IRF1405ZLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4780pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF1405ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4780pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF1405ZS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4780pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC REG LDO 2.5V .3A 8MSOP
- 配件 Richco Plastic Co 6-SMD(0.300",7.62mm) CIRCUIT BRD GUIDE LOCK .825"L
- FET - 单 International Rectifier TO-263-7(直引线) MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.011UF 1.6KVDC RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 270PF 16V 10% X7R 0402
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模块,1/2 砖 RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 2825(7163 公制) CAP FILM 0.18UF 250VDC 2825
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 560PF 50V 20% RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.8V .3A 8MSOP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.011UF 1.6KVDC RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 270PF 16V 10% X7R 0402
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 2825(7163 公制) CAP FILM 0.18UF 250VDC 2825
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模块,1/2 砖 RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.8V .3A 8MSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 560PF 100V X7R RADIAL