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通过电流侦测引脚实时等比例得到功率级N-MOSFET的负载电流

发布时间:2024/5/5 23:32:24 访问次数:400

G.fast的目标数据速率是利用类似于DSL的技术在100米的单根双绞线(24AWG/0.5 毫米)上达到1千兆字节/秒。

这种TDD(时分双工)信号是与现有的FDD(频分双工)DSL信号的主要区别。

G.fast的带宽将扩展到106兆赫(有可能高达212兆赫),起始频率在2.2兆赫到30兆赫之间,以避免干扰现有的xDSL服务。G.fast可能也会采用“开槽”,其将在特定的个别频率上对运营商进行禁止,以避免与本地射频服务相冲突。

NSD731x产品特性

工作电压范围:5V-36V(耐压40V)

导通电阻(HS+LS):520mΩ

峰值电流:3.6A

支持电流调制功能

支持欠压保护、过流保护、过温保护

工作温度:-40°C~125°C

车规型号满足AEC-Q100车规认证

封装形式:HSOP8

NSD731x系列还提供A版本产品。其内部增加了功率路径电流镜像功能,外部ADC/MCU可直接通过电流侦测引脚实时等比例得到功率级N-MOSFET的负载电流,与传统采用外置电流采样电阻的设计相比,该设计有助于客户优化PCB版图面积,节省采样电阻成本。

NSD7312/NSD7312A Q1可满足电动锁止装置对电机瞬态力矩与峰值电流的系统要求,可应用于提供锁止功能的车载电子控制器中,包括车载充电器(OBC),电池管理系统(BMS)或者车身控制系统(VCU)。

深圳市维基鸿电子有限公司http://wjydz03.51dzw.com

G.fast的目标数据速率是利用类似于DSL的技术在100米的单根双绞线(24AWG/0.5 毫米)上达到1千兆字节/秒。

这种TDD(时分双工)信号是与现有的FDD(频分双工)DSL信号的主要区别。

G.fast的带宽将扩展到106兆赫(有可能高达212兆赫),起始频率在2.2兆赫到30兆赫之间,以避免干扰现有的xDSL服务。G.fast可能也会采用“开槽”,其将在特定的个别频率上对运营商进行禁止,以避免与本地射频服务相冲突。

NSD731x产品特性

工作电压范围:5V-36V(耐压40V)

导通电阻(HS+LS):520mΩ

峰值电流:3.6A

支持电流调制功能

支持欠压保护、过流保护、过温保护

工作温度:-40°C~125°C

车规型号满足AEC-Q100车规认证

封装形式:HSOP8

NSD731x系列还提供A版本产品。其内部增加了功率路径电流镜像功能,外部ADC/MCU可直接通过电流侦测引脚实时等比例得到功率级N-MOSFET的负载电流,与传统采用外置电流采样电阻的设计相比,该设计有助于客户优化PCB版图面积,节省采样电阻成本。

NSD7312/NSD7312A Q1可满足电动锁止装置对电机瞬态力矩与峰值电流的系统要求,可应用于提供锁止功能的车载电子控制器中,包括车载充电器(OBC),电池管理系统(BMS)或者车身控制系统(VCU)。

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