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RSL020P03TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫欧 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.9nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：TUMT6; 包装：剪切带 (CT)

RSL020P03TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫欧 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.9nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：TUMT6; 包装：带卷 (TR)

RSL020P03TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫欧 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.9nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：TUMT6; 包装：Digi-Reel®

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