

PUMH9,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
PUMH9,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
PUMH9,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
PUMH9,125详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS ARRAY NPN/NPN 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
PUMH9,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
PUMH9,165详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 1.35K OHM 5PPM .05% 0805
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR SWITCHING NPN HS TO92
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 热 - 垫,片 t-Global Technology TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 THERMAL PAD 20X10X1MM
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 13.5K OHM 5PPM .02% 0805
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS GP NPN 15V 200MA TO-92
- 热 - 垫,片 t-Global Technology TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 PC93 SHEET 300X300X0.25MM
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 TRANS NPN 50V 100MA SOT416
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS GP NPN 15V 200MA TO-92
- 热 - 垫,片 t-Global Technology TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 PC93 SHEET 320X320X1MM
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 NXP Semiconductors SC-101,SOT-883 TRANS NPN 50V 100MA SOT883
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 14.5K OHM 5PPM .02% 0805
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS ARRAY NPN W/RES 6TSSOP
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS GP PNP 60V 800MA TO-92