NSS12201LT1G 全国供应商、价格、PDF资料

NSS12201LT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN BIPO 12V 4A SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：90mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V

功率_最大：460mW

频率_转换：150MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：剪切带 (CT)

NSS12201LT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN BIPO 12V 4A SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：90mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V

功率_最大：460mW

频率_转换：150MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：带卷 (TR)

NSS12201LT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN BIPO 12V 4A SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：90mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V

功率_最大：460mW

频率_转换：150MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：Digi-Reel®