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NSBC144EDXV6T5G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

NSBC144EDXV6T5G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

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NSBC144EDXV6T5G 辉华拓展电子 0755-82795565
NSBC144EDXV6T5G 深圳市昭兴微电子有限公司 0755-23991909
NSBC144EDXV6T5G 深圳市川蓝电子科技有限公司 0755-82522939
NSBC144EDXV6T5G 上海熠富电子科技有限公司 15821228847 /
NSBC144EDXV6T5G 深圳市涛能电子科技有限公司 13537790913
NSBC144EDXV6T5G GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD 13910052844（微
NSBC144EDXV6T5G 深圳宇邦高科技有限公司 15899765957 1
NSBC144EDXV6T5G 深圳斯普仑科技有限公司 18052283398
NSBC144EDXV6T5G 上海专毅电子科技有限公司 17621633780
NSBC144EDXV6T5G/BKN 北京显周科技有限公司 13910052844（微
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NSBC144EDXV6T5G 深圳市世品佳电子有限公司 0755-/8321846
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NSBC144EDXV6T1G
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TL432BQDBVRE4
PMIC - 电压基准 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-5
NSBC144EDXV6T5G
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TK80D08K3(Q)
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热 - 垫，片 t-Global Technology SC-90，SOD-323F TG SERIES SHEET 150X150X2MM
TL432BQDBVT
PMIC - 电压基准 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-5
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单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AC，SMA DIODE SCHOTTKY 2A 40V SMA
TK80S06K3L(T6L1,NQ
FET - 单 Toshiba TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
SMA5J18CHE3/61
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 500W 18V 10% SMA
TG2030-30-30-5
热 - 垫，片 t-Global Technology SC-90，SOD-323F THERMAL PAD 30X30X5MM
NS-CA001
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 132-BQFP 4CH VIDEO INPUT MODULE FOR NS

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