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NSBC143ZPDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

NSBC143ZPDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

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SSA-24C667
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晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
TK7A65D(STA4,Q,M)
FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS
SSA24-E3/5AT
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AC，SMA DIODE SCHOTTKY 2A 40V SMA
TG2030-10-10-5
热 - 垫，片 t-Global Technology SC-90，SOD-323F THERMAL PAD 10X10X5MM
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TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 500W 16V 10% SMA
NSBC144EDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563
TL432BQDBVRE4
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