NP80N055的供应信息|PDF资料|求购NP80N055上51电子网

NP80N055KLE-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263; 包装：带卷 (TR)

NP80N055MDG-S18-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.9 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6900pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220; 包装：管件

NP80N055MHE-S18-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3600pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220-3; 包装：管件

NP80N055MLE-S18-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220-3; 包装：管件

NP80N055NDG-S18-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.9 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6900pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

NP80N055NHE-S18-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3600pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

MIC2212-GPYML TR
PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盘，10-MLF? IC REG LDO 1.8V/3V 10-MLF
NOSC476M004R0300
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
NSH5-ATT02
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-2 全封装，隔离接片 BRACKET WALL MOUNTING NSH5
P122BA19.E3.86
其它 General Cable/Carol Brand 12 AWG 19/25 BC .011" SGPVC
MGDQ1-00021
固定式 TE Connectivity 非标准 INDUCTOR 270UH .22A 20% SMD 6530
NMPD0105C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 12-SIP 模块 POWER OVER ETHERNET MODULE
HMM11DSEH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 22POS .156 EXTEND
MIC2212-GSYML TR
PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盘，10-MLF? IC REG LDO 1.8V/3.3V 10-MLF
NSH5-SQG10B-V2
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-2 全封装，隔离接片 HANDHELD NS5 W/GREY E-STOP 60M
MGDQ2-00008
固定式 TE Connectivity 非标准 INDUCTOR 39UH .69A 20% SMD 6545
P122FPL1.38.03
其它 General Cable/Carol Brand 2C/12 SBC PVC/NS/FLEX FPLP
HMM12DREF
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS .156 EYELET
MIC2212-LOYML TR
PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盘，10-MLF? IC REG LDO 2.7V/2.9V 10-MLF
NMR101C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模块（4 引线） CONV DC/DC 1W 5VIN 12V SIP SGL
NSH5-SQG10B-V2
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-2 全封装，隔离接片 HANDHELD NS5 W/GREY E-STOP 60M

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