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MMSTA28T146详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN GP 80V 0.3A SMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：200mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SMT3; 包装：剪切带 (CT)

MMSTA28T146详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN GP 80V 0.3A SMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：200mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SMT3; 包装：带卷 (TR)

MMSTA28T146详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN GP 80V 0.3A SMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：200mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SMT3; 包装：Digi-Reel®

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