

MMST2907A-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SOT-323
- 包装:带卷 (TR)
MMST2907A-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SOT-323
- 包装:剪切带 (CT)
MMST2907A-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP BIPOLAR 60V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SOT-323
- 包装:带卷 (TR)
MMST2907A-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP BIPOLAR 60V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SOT-323
- 包装:剪切带 (CT)
MMST2907A-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP BIPOLAR 60V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SOT-323
- 包装:Digi-Reel®
MMST2907AT146详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Beyschlag Wide 0604(1610 Metric),0406 RES 22.1K OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
- 快动,限位,拉杆 Honeywell Sensing and Control 0805(2012 公制) SWTCH ROTRY LEVR W/RUB ROLL SIDE
- 晶体管(BJT) - 单路 Micro Commercial Co SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN 40V 200MW SOT323
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0805(2012 公制) RES 39K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 单二极管/齐纳 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 33V 350MW SOT23-3
- 快动,限位,拉杆 Honeywell Sensing and Control 0805(2012 公制) SWTCH ROTRY LEVR W/MTL ROLL SIDE
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT 12"
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 10.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Beyschlag Wide 0604(1610 Metric),0406 RES 23.7K OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 33V 225MW SOT-23
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0805(2012 公制) RES 10K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D PLUG 37POS SKT 18" WIRE
- 快动,限位,拉杆 Honeywell Sensing and Control 0805(2012 公制) GLOBAL LIMIT SWES GLLSIDE ROTARY
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 10.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Beyschlag Wide 0604(1610 Metric),0406 RES 26.1K OHM 1/4W .1% 0406 WIDE