MMBTA13详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN 1.2A SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：350mW
- 频率_转换：125MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：带卷 (TR)
MMBTA13详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN 1.2A SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：350mW
- 频率_转换：125MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：剪切带 (CT)
MMBTA13详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN 1.2A SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：350mW
- 频率_转换：125MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：Digi-Reel®
MMBTA13_D87Z详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 1.2A SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：350mW
- 频率_转换：125MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：带卷 (TR)
MMBTA13-7详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：300mW
- 频率_转换：125MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：剪切带 (CT)
MMBTA13-7详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：300mW
- 频率_转换：125MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS SS DARL NPN 40V SOT23
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-82A，SOT-343 IC MPU/RESET CIRC 4.20V SC70-4
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR DARL NPN 1.2A SOT-23
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 22POS STRAIGHT W/PINS
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS CABLE PIN
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS BRT PNP 50V SOT-23
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-82A，SOT-343 IC MPU/RESET CIRC 4.30V SC70-4
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS CABLE PIN
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS BRT PNP 50V SOT-23
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-82A，SOT-343 IC MPU/RESET CIRC 4.50V SC70-4
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR DARL NPN 30V SOT23-3
0755-23995152 
0755-82533156 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-82574045 
0755-82522939 
0755-23915992 
0755-83987779 
755-83252273 
010-62962871、 
18026926850/0 
13424184668 
13316817713 
0755-23612326 
0755-82723761 
13410941925 
