MMBT123S-7 全国供应商、价格、PDF资料
MMBT123S-7详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：18V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 30mA，300mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 100mA，1V
- 功率_最大：300mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：剪切带 (CT)
MMBT123S-7详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：18V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 30mA，300mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 100mA，1V
- 功率_最大：300mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：Digi-Reel®
MMBT123S-7详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：18V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 30mA，300mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 100mA，1V
- 功率_最大：300mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
MMBT123S-7-F详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：18V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 30mA，300mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 100mA，1V
- 功率_最大：300mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：Digi-Reel®
MMBT123S-7-F详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：18V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 30mA，300mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 100mA，1V
- 功率_最大：300mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
MMBT123S-7-F详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：18V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 30mA，300mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 100mA，1V
- 功率_最大：300mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：剪切带 (CT)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 44POS R/A .100 SLD
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN GP SOT-23
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
- 按钮 Honeywell Sensing and Control 8-VFDFN 裸露焊盘 SWITCH PUSHBUTTON DPDT 0.25A 30V
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DGTL POT QUAD 100K 20TSSOP
- 时钟/计时 - 实时时钟 Microchip Technology 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC RTCC 64B SRAM WD/DET 14TSSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 100 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 44POS DIP .100 SLD
- 存储器 - 模块 SanDisk 32-DIP IC DOC2000 96MB 32-DIP
- 按钮 Honeywell Sensing and Control 8-VFDFN 裸露焊盘 SWITCH PUSHBUTTON SPDT 0.25A 30V
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 20-VFQFN 裸露焊盘 IC DGTL POT QUAD 5K 20QFN
- 时钟/计时 - 实时时钟 Microchip Technology 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC RTCC 64B SRAM WD/DET 14SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 110 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- 存储器 - 模块 SanDisk 32-DIP IC DOC2000 1GB 32-DIP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 44POS DIP .100 SLD
0755-23612326 
0755-22655674 
13910052844（微 
13910052844（微 
0755-82574045 
0755-83039139 
755-83616256 
0755-83223003 
0755-89697985 
13510131896 
15821228847 / 
15026993318 / 
0755-82569753 
755-83252273 
0755-88291559 
