LTC1155CS 全国供应商、价格、PDF资料

LTC1155CS8详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC

系列：-

制造商：Linear Technology

类型：

配置：高端

输入类型：非反相

延迟时间：450µs

导通电阻：

电流_峰值：-

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 18 V

工作温度：0°C ~ 70°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：管件

LTC1155CS8#PBF详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC

系列：-

制造商：Linear Technology

类型：

配置：高端

输入类型：非反相

延迟时间：450µs

导通电阻：

电流_峰值：-

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 18 V

工作温度：0°C ~ 70°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：管件

LTC1155CS8#TR详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC DRIVER MOSF HISIDE DUAL 8SOIC

系列：-

制造商：Linear Technology

类型：

配置：高端

输入类型：非反相

延迟时间：450µs

导通电阻：

电流_峰值：-

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 18 V

工作温度：0°C ~ 70°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：带卷 (TR)

LTC1155CS8#TRPBF详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC

系列：-

制造商：Linear Technology

类型：

配置：高端

输入类型：非反相

延迟时间：450µs

导通电阻：

电流_峰值：-

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 18 V

工作温度：0°C ~ 70°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：带卷 (TR)