IRFIZ34E详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V
- 功率_最大：37W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：TO-220AB 整包
- 包装：管件
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装，隔离接片 MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 3.3K OHM 4 RES 0804
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 28.7 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .003 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 打印机 CBM America Corporation TO-220-2 PRINTER IMPACT BLACK PARALLEL
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装，隔离接片 MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
- TVS - 变阻器，MOV Littelfuse Inc - VARISTOR 40KA THRML PRTCD 385V
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 360K OHM 4 RES 0804
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 28.7 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .001 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 矩形 Samtec Inc TO-220-2 CONN SOCKET IDC DUAL
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
- TVS - 变阻器，MOV Littelfuse Inc - VARISTOR 40KA THRML PRTCD 510V
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.00K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 390 OHM 4 RES 0804
0755-22655674 
0755-82542579 
0755-84507209 
171-4729-0036 
19166203057 
010-62962871、 
0755-22929859 
0755-82533534 
13910052844（微 
0755-82723916 
0755-82561519 
0755-83777708 
0755-82574045 
0755-88291559 
