IRF734详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：450V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2.9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 25V
- 功率_最大：74W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF7341PBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 4.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7341QTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 5.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V
- 功率_最大：2.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF7341QTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 5.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V
- 功率_最大：2.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7341TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 4.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF7341TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 4.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
- TVS - 其它复合 IXYS 径向 IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1900V
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC
- 陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 0.82UF 25V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS CABLE PIN
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT SKT
- 陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206
- TVS - 其它复合 IXYS 径向 IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2100V
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS CABLE W/PIN
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
0755-83202411 
19520735817/1 
0755-88917652 
18927479189 
0755-83223003 
028-87781882 
0512-67241533 
755-83241160（ 
0755-83051566 
0755-82525087 
13316817713 
0755-82522939 
010-62962871、 
0755-83747144 
0755－82812004 
