IXFT10N100详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
- 供应商设备封装：TO-268
- 包装：管件
IXFT120N15P详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
- 系列：PolarHT™ HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4900pF @ 25V
- 功率_最大：600W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
- 供应商设备封装：TO-268
- 包装：管件
IXFT12N100详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 欧姆 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
- 供应商设备封装：TO-268
- 包装：管件
IXFT12N100Q详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 欧姆 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
- 供应商设备封装：TO-268
- 包装：管件
IXFT12N90Q详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：900V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
- 供应商设备封装：TO-268
- 包装：管件
IXFT13N100详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫欧 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
- 供应商设备封装：TO-268
- 包装：管件
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 47.0K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- FET - 单 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR DUAL SYNC 16-QFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 50V 5% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.33UF 630VDC RADIAL
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR DOUBLER PWM 16-QFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 100V 5% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 3900PF 630VDC RADIAL
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
0512-67241533 
0755-83361530 
755-83241160（ 
0755-22929859 
021-62153656青 
0512-82613006 
0755-88917652 
010-62962871、 
0755-22655674 
0755-23613962 
0755-82574045 
171-4729-9698 
0755-82533534 
